等離子去膠機(jī)在2.5D/3D IC封裝中通過(guò)清除光刻膠殘留、保障高密度互連質(zhì)量和提升工藝可靠性三大核心機(jī)制來(lái)保障封裝良率。
一、清除光刻膠殘留，避免短路故障
在2.5D/3D封裝中，光刻膠的無(wú)損去除直接決定了封裝良率與長(zhǎng)期可靠性。傳統(tǒng)濕法去膠在面對(duì)復(fù)雜三維結(jié)構(gòu)、敏感材料和嚴(yán)苛尺度時(shí)局限性凸顯，而等離子干法去膠技術(shù)利用高能等離子體去除光刻膠，去膠速度快，無(wú)需引入化學(xué)物質(zhì)，避免造成材料損傷。
關(guān)鍵應(yīng)用場(chǎng)景包括：
- 重布線層(RDL)：在扇出型封裝(FOWLP)或硅/玻璃/有機(jī)中介層上制作高密度RDL線路后，線路側(cè)壁與底部的光刻膠殘留易引發(fā)短路或高阻故障。等離子去膠技術(shù)可有效去除這些殘留物質(zhì)，避免金屬線路短路或接觸阻抗異常。
- 玻璃通孔(TGV)：TGV是2.5D/3D堆疊的核心垂直互聯(lián)通道，通孔內(nèi)光刻膠的去除面臨高深寬比挑戰(zhàn)。等離子可有效去除通孔內(nèi)的光刻膠殘留，保障可靠性，避免傳統(tǒng)濕法去膠可能導(dǎo)致的微裂紋風(fēng)險(xiǎn)。
二、保障高密度互連質(zhì)量，提升電性能
等離子去膠機(jī)通過(guò)遠(yuǎn)程等離子體技術(shù)和高密度等離子體設(shè)計(jì)，確保在復(fù)雜結(jié)構(gòu)中實(shí)現(xiàn)均勻的去膠效果：
1、技術(shù)優(yōu)勢(shì)：
- 采用遠(yuǎn)程等離子體，可避免造成晶圓損傷
- 高密度等離子體，去膠速率快，不均勻度<5%
- 仿真電圈設(shè)計(jì)，放電穩(wěn)定，等離子電離效率高
2、倒裝芯片(Flip Chip)應(yīng)用：
在倒裝工藝中，等離子干法去膠能夠清除UBM表面及間隙的殘余光刻膠，避免引發(fā)焊點(diǎn)界面失效(虛焊/空洞)，從而確保封裝的可靠性和性能。
三、提升工藝可靠性，確保長(zhǎng)期穩(wěn)定性
等離子去膠機(jī)通過(guò)精確的工藝控制和溫度管理來(lái)保障封裝可靠性：
1、溫度控制優(yōu)勢(shì)：
- 腔體水冷設(shè)計(jì)，工件溫度不超過(guò)42℃，避免熱損傷
- 支持氬氫混合氣去氧化物、氬氧混合氣去有機(jī)物等多種工藝氣體組合
2、工藝標(biāo)準(zhǔn)化：
通過(guò)標(biāo)準(zhǔn)化等離子工藝參數(shù)，實(shí)現(xiàn)接觸角穩(wěn)定性和無(wú)分層目標(biāo)。實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)顯示，采用水平裝載方式后，接觸角波動(dòng)大幅縮小，Cpk值均≥2.0，滿足量產(chǎn)要求。
四、技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)與良率提升效果
1、技術(shù)發(fā)展方向：
- 微波等離子體去膠機(jī)采用2.45GHz頻率，去膠速率達(dá)0.2~0.4μm/min
- 兼容8寸及以下樣品，最大批處理能力達(dá)25片6寸樣品
2、良率提升效果：
- 采用真空等離子清洗機(jī)處理后，引線鍵合強(qiáng)度提升30%
- 產(chǎn)品良率從92%提升至98%，凸點(diǎn)脫落率降低至0.05%以下
等離子去膠機(jī)通過(guò)其獨(dú)特的物理化學(xué)作用機(jī)制，在2.5D/3D IC封裝中實(shí)現(xiàn)了對(duì)光刻膠殘留的清除、對(duì)高密度互連的可靠保障以及對(duì)工藝穩(wěn)定性的精確控制，從而成為保障先進(jìn)封裝良率的關(guān)鍵設(shè)備。
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